【摘 要】
：
采用MOCVD生长技术在InP衬底上成功实现了晶格失配的3μm In0.68Ga0.32As薄膜生长.通过As组分的改变,利用张应变和压应变交替补偿的InAsxP1-x应变缓冲层结构来释放由于晶格失
【机 构】
：
西安理工大学自动化与信息工程学院,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件重点实验室
论文部分内容阅读
采用MOCVD生长技术在InP衬底上成功实现了晶格失配的3μm In0.68Ga0.32As薄膜生长.通过As组分的改变,利用张应变和压应变交替补偿的InAsxP1-x应变缓冲层结构来释放由于晶格失配所产生的应力,在InP衬底上得到了与In0.68Ga0.32As晶格匹配的InAsxP1-x"虚拟"衬底,通过对缓冲层厚度的优化,使应力能够在"虚拟"衬底上完全豫弛.通过原子力显微镜(AFM)、高分辨XRD、透射电镜(TEM)和光致发光(PL)等测试分析表明,这种释放应力的方法能够有效提高In0.68Ga0.32As外延层的晶体质量.
其他文献
随着驻阿美军撤离,阿富汗局势进入一个新阶段。阿政府须在安全及重建方面承担更多任务与责任,但其能力有限,从而导致阿政治、经济、安全等方面的不确定性及风险增加。这必然
随着新时代国际国内的形势产生了翻天覆地的变化,而生活在这样环境下的"90后"大学生普遍的价值观展现出功利化、个体化、多样化和现实化等特征。通过分析"90后"大学生价值观
本文以某保障性住房项目中的5#楼为例,对比分析传统现浇和装配式两种施工方式下的造价差异,结合装配整体式混凝土建筑建造特点及成本组成,分析产生的原因,从设计、生产运输、
在水热条件下,由简单化合物自组装形成了1个结构新颖的无机-有机杂化化合物,[Cu（H2biim）2（H2O）][Cu（H2biim）2Cu（H2biim）（μ-Hbiim）CuPW（11）O（39）]·5H2O（H2biim=2,2′-联咪唑）.通过单晶X
对家庭经济困难学生的身份认定是实现高校资助育人公平的重要基础。当前社会中的“熟人关系”问题、政策解读和认定操作过程的不规范等因素使贫困生认定工作应具有的公平性存
目的探讨酪酸梭菌二联活菌胶囊联合多烯磷脂酰胆碱对非酒精性脂肪性肝炎(NASH)的疗效。方法选取2014年1月至2015年12月于青岛市市立医院门诊及住院治疗的非酒精性脂肪性肝炎
为了利用三坐标测量仪实现对大口径非球面面形的检测,提出了大口径非球面面形三坐标拼接测试方法。对该方法的基本原理与具体的实现流程进行了分析和研究,并基于初级像差理论
对原位 As4掺杂 MBE HgCdTe 材料退火前后的电学性质进行了研究。原生样品以及 N 型退火样品的测试结果显示,随着 As 掺杂进入 HgCdTe 的同时,样品中产生了额外的 Hg 空位,并
美国研制的"标枪"反坦克导弹是一种便携式单兵反坦克导弹,被视为当今反坦克导弹中的第一种"发射后不管"的反坦克导弹,成为现有反坦克导弹中最先进的反坦克导弹之一,其核心技
本文认为,关于能源安全,国际关系理论两大流派建构主义和现实主义有着不同的解释。美国和中国似乎仍在推行现实主义的强权政治,而被边缘化的欧盟虽然推出了多边议程,但也可能