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NEC和东芝宣布，在研制磁阻随机存取存储器(MRAM)的进程中取得关键进展。MRAM技术被视为开发未来高性能移动设备的关键，两公司于2002年开始在该技术上展开合作。MRAM的特性是快速读写、高密度、无限耐久性和非易失性——断电后还能保持数据，但在商业化应用之前，面临的主要问题是单元尺寸和功耗必须降低，同时不能牺牲远行速度。