HBT自热效应对功率放大器偏置电路的影响及补偿

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【摘要】

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研究了GaAs HBT的自热效应对功率放大器镜像电流源偏置电路性能的影响.HBT自热效应使得这种偏置电路的镜像精度和温度特性变差.利用HBT器件特有的集电极电流热电负反馈理论,

【作者】

：

陈延湖申华军王显泰葛霁刘新宇吴德馨

【机构】

：

中国科学院微电子研究所

【出处】

：

电子器件

【发表日期】

：

2007年3期

【关键词】

：

自热效应 HBT 镜像电流源偏置电路功率放大器

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研究了GaAs HBT的自热效应对功率放大器镜像电流源偏置电路性能的影响.HBT自热效应使得这种偏置电路的镜像精度和温度特性变差.利用HBT器件特有的集电极电流热电负反馈理论,通过优化基极偏置电阻的方法,对自热效应进行了有效补偿,偏置电路的电流镜像精度得到有效提高,偏置电流温度漂移由9.5%减小到0.5%.

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