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在P型绒面晶硅上，采用磷的热扩散形成同质pn结、低温热氧化生长超薄SiO2层、射频磁控溅射沉积ITO减反射／收集电极膜成功制备了一种新型IT0／SiO2/np晶硅SINP结构光电池。高质量ITO薄膜的物相结构、光学及电学特性通过X-光衍射（XRD）、紫外-可见光透射、吸收谱（UV—VIS）以及霍尔效应（Hall effect）测量系统表征。并对新型SINP光电池C—V／I—V特性及光谱响应进行详细地分析、计算。结果表明，该器件在可见光波段具有光电转换增强的响应，适合于发展成为新型结构的太阳电池及光电探测器