【摘 要】
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蓝绿Ⅱ—Ⅵ族半导体激光作为未来高密度光盘装置和激光打印机的光源,引人注目。自首次发表达到77K脉冲振荡的激光器以来,研究了主要在活性层用GbSSe的量子阱结构、波导层用Z
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蓝绿Ⅱ—Ⅵ族半导体激光作为未来高密度光盘装置和激光打印机的光源,引人注目。自首次发表达到77K脉冲振荡的激光器以来,研究了主要在活性层用GbSSe的量子阱结构、波导层用ZnSe、金属包层用ZnSSe
Blue-green II-VI semiconductor laser as the future of high-density optical disc devices and laser printers light source, attracting attention. Since the first laser to reach 77K pulse oscillation, the quantum well structure of GbSSe mainly used for the active layer, ZnSe for the waveguide layer, ZnSSe for the metal cladding
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