【摘 要】
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利用GLADIS中性粒子束辐照设备对W-ZrC(W-0.5％ZrC,质量分数)合金进行纯H中性束辐照、H+6％He(原子分数)中性束辐照.采用Doppler展宽慢正电子束分析(DB-SPBA)和SEM表征样品的空位型缺陷和表面形貌.在相同纯H中性束辐照功率与注量下,Doppler展宽结果表明,辐照表面温度为850℃时,样品中缺陷类型主要为空位与H之比较大的H-V复合体;1000℃的样品不存在缺陷损伤层,这主要是由于缺陷在高温下进行了恢复.SEM结果表明,辐照表面温度为1000℃的样品比850℃的样品表面光
【机 构】
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四川大学 物理学院 成都 610064;核工业西南物理研究院 成都 610041;菏泽学院 物理与电子工程学院 菏泽 274015
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利用GLADIS中性粒子束辐照设备对W-ZrC(W-0.5％ZrC,质量分数)合金进行纯H中性束辐照、H+6％He(原子分数)中性束辐照.采用Doppler展宽慢正电子束分析(DB-SPBA)和SEM表征样品的空位型缺陷和表面形貌.在相同纯H中性束辐照功率与注量下,Doppler展宽结果表明,辐照表面温度为850℃时,样品中缺陷类型主要为空位与H之比较大的H-V复合体;1000℃的样品不存在缺陷损伤层,这主要是由于缺陷在高温下进行了恢复.SEM结果表明,辐照表面温度为1000℃的样品比850℃的样品表面光滑,表面损伤得到恢复.在相同H+6％He中性束辐照功率与注量下,辐照表面温度为800℃的样品相比700℃的样品,S参数更大,表明辐照表面温度为800℃时,空位型缺陷迁移合并更为明显,空位型缺陷体积更大,样品中的缺陷损伤层更宽,损伤更为严重.
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