论文部分内容阅读
介绍了一种半绝缘ＩｎＰ（Ｆｅ）低温氯化物气相外延（ＶＰＥ）生长方法，生长温度为５５０℃，可为金属有机气相淀积的量子阱结构二次外延半绝缘ＩｎＰ（Ｆｅ）盖层。４μｍ层厚时电阻率超过５×１０＾８Ωｃｍ，临界击穿电压达到１０Ｖ以上。用这种方法制备的激光器阈值电流达８０ｍＡ，较平板式的降低３倍，远场图样平行和垂直结平面方向光功率曲线对称性良好，远场发散角，器件测试得到较好光谱。目前尚未见到其它类似报道。