【摘 要】
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基于标准CMOS工艺的p＋源/漏区和n阱,设计了两种楔形瓣状结构的正向注入型硅基发光二极管（Si-LED）,采用UMC 0.18μm 1P6M CMOS工艺设计制备。测试结果表明,正向注入型p＋/n-well二
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基于标准CMOS工艺的p＋源/漏区和n阱,设计了两种楔形瓣状结构的正向注入型硅基发光二极管（Si-LED）,采用UMC 0.18μm 1P6M CMOS工艺设计制备。测试结果表明,正向注入型p＋/n-well二极管的发射波长位于近红外波段,峰值波长在1 130 nm附近,且工作电压小于2 V,与标准CMOS电路兼容。其中,八瓣结构的Si-LED（TS2）在200 m A时的发光功率可达1 200 n W,且未出现饱和,而注入电流为40 m A时的最大功率转换效率达5.8×10-6,约为四瓣结构器
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