标准CMOS工艺相关论文
微纳卫星对于载荷的苛刻要求使得太阳敏感器的微型化研究具有重要意义。为了解决光学器件和处理电路的集成兼容问题,文章基于标准C......
采用联华电子公司(UMC)0.18μm标准CMOS工艺设计并制备了多晶硅PIN-LED,测试结果表明,i区宽为10μm器件的正向导通电压为1.5V,反向......
随着光纤通信技术和微电子技术的飞速发展，光电集成的研究成为当今世界前沿研究的热点。而其中关键的一环，就是要研制出一种能满足光......
太赫兹波由于自身所具有的独特性质以及在光谱中的位置使其在通信、电子对抗、雷达、电磁武器、天文学、医学成像、无损检测、环境......
本文采用0.18μm标准CMOS工艺设计并制备了一种MOS结构的低压栅控硅基发光器件.该光源器件内部采用n+-p+-p+-n+-p+-p+-n+的叉指结......
面向无源超高频射频识别标签芯片设计了一种低成本的非易失存储器(NVM)。采用PMOS晶体管实现存储单元,制造工艺与标准CMOS工艺兼容......
采用Skysilicon 0.35μm标准CMOS工艺设计并制造了一种可嵌入射频识别(RFID)标签的低功耗单栅非易失性存储器(SPNVM)。与传统的采......
数字信号处理技术在高分辨率图象、视频处理及无线通信等领域的广泛应用,导致对高速、高精度、基于标准CMOS工艺的可嵌入式ADC的需......
快速增长的各类无线通信的应用需求，形成了对应的多种射频集成电路的研发需求。高性能，高集成度的无线收发机的发展需求成为无线通信......
针对低成本、低功耗无源射频电子标签,采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺设计实现了单栅、576bit的非挥发性存储器.存储器单元基于双向......
采用0.35μm双栅标准CMOS工艺最新设计和制备了叉指型SiLED发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结......
基于标准CMOS工艺的p＋源/漏区和n阱,设计了两种楔形瓣状结构的正向注入型硅基发光二极管（Si-LED）,采用UMC 0.18μm 1P6M CMOS工艺设计......
采用常规P阱CMOS工艺，实现了与CMOS工艺兼容的高压PMOS器律。制作的器件，其击穿电压为55V，阈值电压0．92V，驱动电流25mA。对所设计的CMOS......
针对外层型视网膜修复技术中芯片像素密度难以提高的问题，设计了一种具有更小尺寸及更高像素密度的视网膜芯片。芯片采用CHRT公司0．3......
简要概述了室温红外探测器技术的最新研究现状,首先根据工作机理的不同对红外探测器进行了分类,详细阐述了室温红外探测器的优点所......
微热板式气体传感器具有功耗低、体积小和灵敏度高等优点,具有良好的产业化前景,而传感器芯片批量制造成品率与单芯片加工成本是其......
外层型人工视网膜修复可以更多地利用视网膜疾病患者中的残余活细胞，已成为人工视觉功能修复技术领域的研究热点。本文提出了一种应......
随着物联网、5G通讯以及便携式产品的迅速发展,功耗高和电池续航能力不足的矛盾越来越突出。在一些超低功耗(ULP)应用,例如微型传......
针对低成本、低功耗无源射频电子标签，采用SMIC0．18μm标准CMOS工艺设计实现了单栅、576bit的非挥发性存储器．存储器单元基于双向Fowl......
采用标准CMOS工艺制备的n+-p-π-p+结构的线性APD,其倍增区p层的掺杂分布极大地影响着器件的性能.采用Silvaco仿真软件对倍增区p层......
随着CMOS图像传感器技术的飞速发展,其应用已从数码相机、摄像机、智能控制等传统强光领域扩展到生物荧光检测、疾病诊断及微弱天......
为提高硅芯片的信号传输速度,解决传输延时、信号串扰等问题,当前研究的热点之一在于实现芯片内信号的光传输。要实现光信号在芯片......
射频识别技术是一种利用无线射频方式进行非接触式双向通信的自动识别技术。近年来，单品级标签的研发成为射频识别技术领域新的热点......
射频识别技术(Radio Frequency Identification,RFID)是运用射频信号和空间耦合的传输特征,自动辨别被识别的物体,具有读写距离远......
目前,超高频电子标签芯片作为物联网中的关键元件在全球得到了广泛的应用,是当前人们研究的焦点。超高频电子标签芯片的核心之一是......
针对传统双层多晶EEPROM的诸多不足之处,介绍了相对较有潜力的单层多晶的EEPROM,主要对比了传统的双层多晶的EEPROM和单层多晶的EE......
本文提出一种在0.5um DPTMCMOS工艺下可实现的单层多晶结构的EEPROM单元。由于没有增加额外的工艺步骤,在中小规模存储领域相对于......
静电放电ESD(Electro-Static Discharge)现象无处不在,据统计ESD对集成电路(IC)造成的损失高达58%以上,它已成为影响IC可靠性的最......
介绍一种基于六边形人工磁导体结构采用标准CMOS工艺的60 GHz片上天线的设计。标准CMOS工艺以金属硅为衬底,但衬底硅的低电阻率（10......
随着制造工艺的发展,超大规模集成电路设计已步入超深亚微米时代.片上系统应运而生。预计在不久的将来,各种功能的存储器将占据SOC......
在ASIC电路设计中,经常会需要一些低成本低密度的非易失性存储器件,但是工艺的复杂性阻碍了传统的非易失性存储器件嵌入到标准CMOS......
射频识别技术(RFID：Radio Frequency Identification)是一项利用射频信号通过空间耦合实现无接触信息传递，并藉此信息来达到识别目的......
在ASIC电路设计中,经常会需要一些低成本低密度的非易失性存储器件,但是工艺的复杂性阻碍了传统的非易失性存储器件嵌入到CMOS电路......
本文基于EPC Global Class-1 Gen-2协议对UHF RFID读写器接收机进行了研究,提出了载波消除射频前端的系统架构,并在SMIC 0.18um RF......
随着科学技术的发展和社会的进步以及信息量的不断增加，人们对信息处理速度的要求也越来越高，这就对通信系统提出了更加严格的要求。......
非易失性存储器,可以在外部电源停止持续供电的条件下将数据进行长时间的储存,因此大量应用于无源射频识别(Radio Frequency Ident......
近年来，随着天线小型化、集成化趋势不断推进，片上天线的研究越来越多的引起人们的注意。其中，基于CMOS工艺的片上天线，由于CMOS工艺低......
作为极有可能取代传统微电子集成电路的下一代产品,硅基光互连系统越来越受到重视。然而硅属于间接带隙半导体,由其构成的硅基发光......
设计与标准CMOS工艺兼容的硅基光电器件在降低光互连系统成本方面具有十分重要的意义。与标准CMOS工艺兼容的光电探测器和发光器件......
将硅基光电子技术引入到传统的集成电路中,可以发挥其天然的并行传输和互不干扰特性,有望解决电互连芯片内部串扰、延迟和能耗等问......
近年来，毫米波频段的通信系统已成为研究的热点，毫米波通信技术广泛的应用于生活的各个方面，但是该项技术还有很大的研究空间，目前尚有......
近些年，在电子市场需求快速增长的拉动下，高精度的晶振产品在电子市场以难以替代的优势有着越来越广泛的应用前景，尤其是温度补偿晶体......
以硅材料为基础的微电子技术，是现代电子计算机、自动化控制、电子通信等领域发展的基础，也体现着一个国家科技实力的强弱。然而随着......
当今，随着无线通信和集成电路的迅速发展，个人无线通信得到了广泛的关注。由于60GHz这一频段在国际上不受限制，所以学者们对这一频段......
光纤通信实现高速率、低成本实用化的瓶颈之一是光纤通信终端光接收机芯片实现高性能的单片集成(OEIC)。由于混合集成光接收机存在......
