【摘 要】
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研究了不同厚度GaAs的通孔工艺,在以GaAs为衬底的加工工艺中,通孔工艺是GaAs的重要工艺,直接影响着器件的性能.阐述了目前GaAs厚度为100 μm的工艺情况,分析了GaAs厚度为150 μm时的深孔刻蚀.通过对刻蚀工艺中不同压强和不同偏置功率的研究,掌握GaAs深度为200μm的深孔刻蚀工艺.根据研究200μm深孔刻蚀工艺的经验,开发深度为250μm的深孔刻蚀工艺.
【机 构】
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中国电子科技集团公司第二十九研究所,成都 610036
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研究了不同厚度GaAs的通孔工艺,在以GaAs为衬底的加工工艺中,通孔工艺是GaAs的重要工艺,直接影响着器件的性能.阐述了目前GaAs厚度为100 μm的工艺情况,分析了GaAs厚度为150 μm时的深孔刻蚀.通过对刻蚀工艺中不同压强和不同偏置功率的研究,掌握GaAs深度为200μm的深孔刻蚀工艺.根据研究200μm深孔刻蚀工艺的经验,开发深度为250μm的深孔刻蚀工艺.
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