【摘 要】
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本文报道了非晶氮化硅薄膜的组成、结构与性能关系的研究结果。采用高频辉光放电工艺,改变硅烷、纯氨及氢气的配比可制备各种N/Si比的非晶氮化硅。这类膜中都含有氢,因此其结
【机 构】
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中国科学院上海硅酸盐研究所,中国科学院上海硅酸盐研究所
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本文报道了非晶氮化硅薄膜的组成、结构与性能关系的研究结果。采用高频辉光放电工艺,改变硅烷、纯氨及氢气的配比可制备各种N/Si比的非晶氮化硅。这类膜中都含有氢,因此其结构式可用a-SiN_x:H表示。红外吸收光谱、氢释放谱、光电性能测试的实验结果表明:当膜中N/Si<0.56时,膜的结构以a-Si:H相为主,是一种半导体,当N/Si比>0.73,膜的结构以a-Si_3N_4:H相为主,是一种绝缘体,在0.56<N/S_1<0.73之间发现有一结构转变点。文内还报道了各种组分的非晶氮化
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