【摘 要】
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用一种简易高压水汽氧化装置进行了硅的氧化实验;测量了氧化速率和氧化膜质量。由此而制得的氧化膜已用于EGL100k系列电路的氧化物隔离结构中。由于高压水汽氧化显著降低了硅
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用一种简易高压水汽氧化装置进行了硅的氧化实验;测量了氧化速率和氧化膜质量。由此而制得的氧化膜已用于EGL100k系列电路的氧化物隔离结构中。由于高压水汽氧化显著降低了硅片的高温处理的温度和时间,氧化物隔离双极器件的特性得到很大改善。
Oxidation of silicon was performed using a simple high-pressure water vapor-oxidation device; the oxidation rate and oxide film quality were measured. The oxide film thus obtained has been used in the oxide isolation structure of the EGL100k series of circuits. The oxide isolation bipolar device has been greatly improved in its properties due to the significant reduction in the temperature and time of the high temperature processing of the wafer due to the high pressure water vapor oxidation.
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