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利用中子嬗变掺杂(NTD)技术制备的CZSi(NTDCZSi)片在高温退火时,由于辐照缺陷与直拉硅中杂质氧的相互作用,可以加速内吸除(IG)效应的实现,获得理想的表面清洁区和体内吸杂区.本文探讨了将NTD技术与IG技术相结合的问题,并讨论了NTDCZSi IG效应机理.
NTDCZSi内吸除技术的研究
【摘 要】
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利用中子嬗变掺杂(NTD)技术制备的CZSi(NTDCZSi)片在高温退火时,由于辐照缺陷与直拉硅中杂质氧的相互作用,可以加速内吸除(IG)效应的实现,获得理想的表面清洁区和体内吸杂区.
【机 构】
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河北工学院,河北工学院天津,天津,天津
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1990年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(NSFC,84050181)
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