正偏压控制CVD金刚石薄膜成核的理论研究

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本文从理论上研究了等离子体CVD金刚石薄膜过程中的衬底正偏压增强金刚石成核效应,给出了增强成核强度与正偏压和沉积参数的关系,理论较好地描述了实验现象。 In this paper, we study the nucleation effect of diamond substrate under plasma CVD diamond film in theory, and give the relationship between the enhanced nucleation strength and the positive bias voltage and deposition parameters. The theory can well describe the experimental phenomena .
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