【摘 要】
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用高频光电导衰减法(PCD)研究了热氧化钝化对直拉硅少子寿命的影响,在700-1100℃范围热氧化不同时间(0.5-4h)对直拉硅片表面进行钝化,实验结果表明,在1000℃下热氧化对硅片表面钝化
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目 (No.5 0 0 3 2 0 10 )~~
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用高频光电导衰减法(PCD)研究了热氧化钝化对直拉硅少子寿命的影响,在700-1100℃范围热氧化不同时间(0.5-4h)对直拉硅片表面进行钝化,实验结果表明,在1000℃下热氧化对硅片表面钝化的效果最好,而且发现热氧化1.5h后硅片的少于寿命值达到最大值,接近于其真实值,而随着热氧化时间的延长(>1.5h)少子寿命将会降低,这是由于直拉硅中过饱和氧会沉淀下来形成氧沉淀,成为新的少子复合中心。
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