SOI在射频电路中的应用

来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：chenger_123

【摘要】

：

随着射频电路(RF)工作频率和集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大.SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性.与CMOS工艺的兼容

【作者】

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骆苏华刘卫丽张苗狄增峰王石冶宋志棠孙

【机构】

：

中国科学院,中国科学院,中国科学院

【出处】

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微电子学

【发表日期】

：

2005年1期

【关键词】

：

射频集成电路高阻SOI FD-SOI CMOS SIMOX RF IC High-resistivity SOI FD-SOI CMOS SIMOX

【基金项目】

：

上海市纳米科技专项基金，国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家自然科学基金

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随着射频电路(RF)工作频率和集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大.SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性.与CMOS工艺的兼容使它能将数字电路与模拟电路混合,在射频电路应用方面显示巨大优势.文章分析了RF电路发展中遇到的挑战和SOI在RF电路中的应用优势,综述了SOI RF电路的最新进展.

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