FD-SOI相关论文
据海外媒体报道,全球半导体业界朝物联网(IoT)等新兴领域开拓商机,惟这些新领域对芯片的需求是希望可达低成本及高功耗水准,为此业......
随着通信电子产业的迅猛发展,无线终端相关的电子产品日渐增多,无线能量传输逐渐成为相关领域的研究热点。实现无线能量传输的具体......
摘要：本文介绍了Soitec半导体公司的全耗尽绝缘硅（FD-SOI）的特点、最新进展及其生态系统，并将FD-SOl与FinFET作比较，分析了各自的优势、......
摘要：预计半导体和代工市场将在2016-2020年出现强劲成长，半导体年复合增长率达4.4%，代工业年复合增长率达7.1%，而且中国代工厂的年复......
2016年全球半导体投资支出为679亿美元,年增5.1%,有13家厂商投资支出超过10亿美元。全球研发经费超过565亿美元,年增1%。全球集成......
利用计算机辅助设计Silvaco TCAD仿真工具,研究了0.13μm全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)晶体管单粒子瞬态效应,分析了不同线性能量转移(......
超薄基体埋氧全耗尽绝缘层基硅(Ultra Thin body and BOX- Fully Depleted - silicon on insulator,UTBB-FD-SOI,以下简称FD-SOI),......
<正>全球能提供Fin FET工艺的fab就是英特尔、TSMC、三星、Global Foundries(格罗方德半导体)这几家,而目前能提供相对稳定量产的......
期刊
FD-SOI作为一种特殊的半导体制造工艺,其独特的技术优势在于:第一、能够大大减小寄生电容,提高运行速度,与硅材料相比,SOI器件的频......
