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世界功率管理技术领袖国际整流器公司（IR）近日推出一款新型60V DirectFET功率MOSFET—IRF6648。该器件的最大导通电阻为7．0m（VGS=10V），导电损耗可比同类解决方案减少30％。
IR推出新型DirectFET HOSFET有效降低高达30%的导电损耗
【摘 要】
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世界功率管理技术领袖国际整流器公司（IR）近日推出一款新型60V DirectFET功率MOSFET—IRF6648。该器件的最大导通电阻为7．0m（VGS=10V），导电损耗可比同类解决方案减少30％。
【出 处】
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电源技术应用
【发表日期】
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2005年11期
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