【摘 要】
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以化学氧化生成的SiO2缓冲层作为衬底,利用分子束外延(MBE)系统通过直接生长以及后期退火的方式获得了高密度(1011cm-2)的锗量子点结构。借助于扫描电镜和电子衍射等进一步研
【机 构】
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浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,
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以化学氧化生成的SiO2缓冲层作为衬底,利用分子束外延(MBE)系统通过直接生长以及后期退火的方式获得了高密度(1011cm-2)的锗量子点结构。借助于扫描电镜和电子衍射等进一步研究了其生长机理,与传统的S-K生长模式进行比较并给出了清晰的微观结构示意图。拉曼光谱证实此类微结构中有压应力的存在,而退火后的量子点则应力得到释放。
The high density (1011cm-2) germanium quantum dot structure was obtained by direct growth and post-annealing using molecular beam epitaxy (MBE) system with SiO2 buffer layer formed by chemical oxidation as the substrate. The growth mechanism was further studied by means of scanning electron microscopy and electron diffraction. Compared with the traditional S-K growth mode, a clear microstructure diagram was obtained. Raman spectroscopy confirmed the presence of compressive stresses in these microstructures, whereas the stress at the annealed quantum dots was released.
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