【摘 要】
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GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件由于其宽禁带材料的独特性能,相比硅功率器件具有击穿场强高、导通电阻低、转换速度快等优势,在智能家电、交直流转换器、光伏逆变器以及电
【机 构】
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黄山学院智能微系统安徽省工程技术研究中心,多伦多大学电气与计算机工程学院,复旦大学微电子学院,清华大学无锡应用技术研究院
【基金项目】
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安徽省科技重大专项(18030901006),安徽省高校优秀青年骨干人才国内外访问研修项目(gxgwfx2019054),安徽省重点研究与开发计划项目(201904b11020007)
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GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件由于其宽禁带材料的独特性能,相比硅功率器件具有击穿场强高、导通电阻低、转换速度快等优势,在智能家电、交直流转换器、光伏逆变器以及电动汽车等领域有着广泛的应用前景。但GaN HEMT器件的高功率密度和高频工作特性,给器件封装带来了极大挑战,要使其出色性能得以充分发挥,其封装结构、材料、工艺等起着至关重要的作用。介绍了GaN HEMT及其组成的功率模块的典型封装结构,并对国内外在寄生电感、热管理等封装关键技术问题的研究现状,以及高导热二维材料石墨烯在GaN HEMT器件
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