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首先分析了辐照条件下MOSFET氧化层及Si/SiO2界面陷阱电荷和界面态电荷产生的机理,随后介绍了一种低能X射线辐射系统,最后讨论了X射线辐照后nMOSFET阈值电压的变化,结果表明采用X射线辐照对nMOSFET的阈值电压的影响与60Co辐照影响的规律一致.
一种新的辐射试验技术——低能X射线辐照
【摘 要】
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首先分析了辐照条件下MOSFET氧化层及Si/SiO2界面陷阱电荷和界面态电荷产生的机理,随后介绍了一种低能X射线辐射系统,最后讨论了X射线辐照后nMOSFET阈值电压的变化,结果表明
【机 构】
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西安电子科技大学微电子研究所,信息产业部电子第五研究所,华南理工大学应用物理系
【出 处】
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电子产品可靠性与环境试验
【发表日期】
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2004年3期
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