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以碳化硅为代表的第三代宽禁带半导体,可在更高温度、电压及频率环境正常工作,同时消耗电力更少,持久性和可靠性更强,将为下一代更小体积、更快速度、更低成本、更高效率的电力电子产品提供飞跃的机遇。本文对碳化硅电力电子器件技术国内外发展现状与趋势进行了梳理,并提出了我国进一步发展重点和对策建议。
碳化硅电力电子器件技术发展现状与趋势
【摘 要】
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以碳化硅为代表的第三代宽禁带半导体,可在更高温度、电压及频率环境正常工作,同时消耗电力更少,持久性和可靠性更强,将为下一代更小体积、更快速度、更低成本、更高效率的电
【机 构】
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科技部高技术研究发展中心,中国科学院理化技术研究所,北京鉴衡认证中心有限公司
【出 处】
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科技中国
【发表日期】
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2018年06期
【基金项目】
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科技创新战略研究专项项目“重点科技领域发展热点跟踪研究”(编号:ZLY2015072)研究成果之一
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