【摘 要】
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使用超高真空化学气相淀积（UHV/CVD）设备在Si衬底上生长多层Ge量子点,用双晶X射线衍射（DCXRD）、拉曼光谱（Raman）等手段表征在不同条件下快速热退火的Ge量子点材料的组分、应力等特
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使用超高真空化学气相淀积（UHV/CVD）设备在Si衬底上生长多层Ge量子点,用双晶X射线衍射（DCXRD）、拉曼光谱（Raman）等手段表征在不同条件下快速热退火的Ge量子点材料的组分、应力等特性,研究了快速热退火对多层Ge量子点晶体质量的影响。结果表明：随着退火温度的升高,量子点中Ge的组分下降,量子点应变的弛豫程度加剧。在1000℃退火20 s后,量子点材料已经完全弛豫。
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