双晶X射线衍射相关论文
本文提出一种用X射线三轴晶衍射测量C-GaN晶格常数的新方法.实验测定完全弛豫的C-GaN的晶格常数为4.5036±0.0004A,这非常接近理想......
首次利用MOCVD-LPE混合外延技术在InP衬底上生长了GaAs材料,这种复合材料显示了优良的特性,(400)反射面的双晶X射线衍射回摆曲线半......
(1)用拉曼光谱研究MnSi_x和FeSi_x薄膜微结构我们用拉曼光谱研究了不同退火温度下MnSi_x和FeSi_x薄膜微结构,首次确定了锰硅化合物......
介绍了通过双晶ｘ 射线衍射测量超薄外延层厚度的一种方法。利用回摆曲线中的干涉条纹测量了通过ＭＢＥ生长的Ｇａ０．７Ａｌ０．３Ａｓ／Ｇａ０．９Ａｌ０．１Ａｓ／Ｇａ０．７Ａｌ０．３Ａｓ结构的各层层厚
A method of......
采用双晶X射线衍射（DC-XRD）研究蓝宝石（0001）衬底上横向外延GaN层中晶面倾斜的形成原因.发现横向生长区的GaN在垂直掩模方向上朝SiNx掩......
以Ｉｎ作溶剂，使用石墨滑动舟在硅衬底上液相法生成了硅外延层。双晶Ｘ射线衍射表明，对不同的生长条件，一些样品显示出具有双峰的摇摆曲线，另......
利用LP-MOCVD在Si(111)衬底上,以高温AlN为缓冲层,分别用低温GaN(LT-GaN)和偏离化学计量比富Ga高温GaN(HT-GaN)为过渡层外延生长六......
利用LP-MOCVD技术在Si（111）衬底上,用不同A1组分的A1GaN做缓冲层,再在缓冲层上生长GaN薄膜,采用XRD技术和原子力显微镜（AFM）分析样品知......
采用双晶X射线衍射仪测量了相同注入能量、不同注入剂量的As^+／N2^+组合离子注入Si的衍射曲线，借助X射线衍射的运动学理论和离子注入......
利用自行研制的超高真空化学气相沉积系统，在直径３英寸的衬底硅片上生长了锗硅应变外延层，并进行了实时掺杂生长。利用双晶Ｘ射线的衍射......
用LSS理论,计算了注入能量为180keV,注入剂量为1×1013～5×1015ion/cm2的N+2/As+组合离子注入Si的杂质浓度分布,由X射线衍......
利用LP-MOCVD在S i(111)衬底上,以高温A lN为缓冲层,分别用低温GaN(LT-GaN)和偏离化学计量比富Ga高温GaN(HT-GaN)为过渡层外延生长......
