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利用扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）等分析手段，我们对Ｓｉ（１１１）在ＮＨ３气氛下氮化后的表面结构进行了研究，Ｓｉ（１１１）在１０７５Ｋ暴露于ＮＨ３后，表现所形成的氮化硅存在周期为１．０２ｎｍ的（“８／３×８／３”）再构，当温度提高到１１２５Ｋ以上时，表面出现周期为３．０７ｎｍ的超结构。这两种面超结构都可以形成“８×８”低能电子衍射花样，系统的研究证明３．０７ｎｍ超结构是在Ｓｉ（１１１）表面形成晶态β－Ｓ