一种低成本高精度CMOS基准电压源设计

来源 :微电子学与计算机 | 被引量 : 0次 | 上传用户：SRoo09

【摘要】

：

利用电子迁移率和MOS管阈值电压对温度的变化呈反向趋势的原理,基于0.13μm标准CMOS工艺,设计实现了一款非带隙的基准源电路.Hspice仿真显示该基准能提供0.715V基准输出,并可

【作者】

：

肖海鹏马卓张民选张正旭

【机构】

：

国防科技大学计算机学院

【出处】

：

微电子学与计算机

【发表日期】

：

2010年5期

【关键词】

：

CMOS基准电压源阈值电压电子迁移率

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利用电子迁移率和MOS管阈值电压对温度的变化呈反向趋势的原理,基于0.13μm标准CMOS工艺,设计实现了一款非带隙的基准源电路.Hspice仿真显示该基准能提供0.715V基准输出,并可以根据需要在0.4V～1V范围内进行调节.在-25℃～125℃范围内,温度系数为21.6ppm,在25℃时输出基准线性度为0.237%.

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