【摘 要】
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以工业白炭黑为硅源, 葡萄糖粉剂为碳源, 硝酸钐为掺杂源, 通过碳热还原法制备了钐掺杂碳化硅（SiC）. 并利用 X 射线衍射、 扫描电子显微镜、 比表面积测试仪、 紫外可见吸收光
【机 构】
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武汉工程大学材料科学与工程学院,国家磷资源开发利用工程技术研究中心
【基金项目】
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国家科技支撑计划项目(2013BAB07B05);国家自然科学基金项目(71303180);武汉工程大学研究生教育创新基金项目(CX2017017)
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以工业白炭黑为硅源, 葡萄糖粉剂为碳源, 硝酸钐为掺杂源, 通过碳热还原法制备了钐掺杂碳化硅（SiC）. 并利用 X 射线衍射、 扫描电子显微镜、 比表面积测试仪、 紫外可见吸收光谱等测试方法, 研究了煅烧温度、 掺杂摩尔比对制备的钐掺杂碳化硅的物相组成、 微观形貌、 比表面积等的影响. 结果表明, 钐掺杂碳化硅能够增大碳化硅粉体的比表面积, 减小其禁带宽度. 当碳热还原温度为1350 ℃、 钐掺杂摩尔比（Sm/ Si）为0. 03 时, 制得的钐掺杂碳化硅粉体性能最佳, 其比表面积约为95 m2/ g,
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