【摘 要】
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为强化硅片表面陷光能力,采用反应离子刻蚀法(RIE)制备具有纳米绒面的单晶和多晶黑硅太阳电池。采用RIE处理后,单晶硅片反射率从14.08%降低到5.78%,多晶硅片反射率从23.42%降
【基金项目】
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湖南省创新创业技术投资资助项目(2017GK5002)
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为强化硅片表面陷光能力,采用反应离子刻蚀法(RIE)制备具有纳米绒面的单晶和多晶黑硅太阳电池。采用RIE处理后,单晶硅片反射率从14.08%降低到5.78%,多晶硅片反射率从23.42%降低到8.90%,但低的反射率引起了较大的表面载流子复合。本研究通过表面结构修饰和热氧化钝化的方式大幅提升了少子寿命,单晶黑硅电池平均转换效率达到20.38%,多晶黑硅电池平均转换效率达到19.25%。由于金刚线切硅片无法沿用传统的酸制绒,采用RIE处理及工艺优化后,电池转换效率达到19.22%,对行业推广低成本的金刚线切
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