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采用射频反应磁控溅射法制备了HfOxNy栅介质薄膜，并研究了HfOxNy栅介质薄膜的化学特性和界面结构随淀积温度的变化而发生的变化规律。光电子能谱测试表明，随着衬底温度的升高，薄膜中的氮含量也随之增加。傅立叶红外吸收光谱研究表明，随着淀积温度的增加，界面层SiO2的厚度也逐渐增高。
衬底温度对HfOxNy薄膜相关物性的影响
【摘 要】
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采用射频反应磁控溅射法制备了HfOxNy栅介质薄膜，并研究了HfOxNy栅介质薄膜的化学特性和界面结构随淀积温度的变化而发生的变化规律。光电子能谱测试表明，随着衬底温度的升高，薄
【机 构】
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商丘职业技术学院
【出 处】
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应用化工
【发表日期】
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2009年8期
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