【摘 要】
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针对物理气相传输(PVT)法生长碳化硅(SiC)晶体过程,建立了一个电磁感应、传热传质数值模型来研究SiC晶体生长炉内的磁感应场与热场分布。结果表明:生长炉内磁场分布不均匀;坩
【机 构】
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青海民族大学化学化工学院,青海民族大学交通学院
【基金项目】
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青海省自然科学基金(2018-ZJ-946Q),青海民族大学理工自然科学项目(2017XJG05)
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针对物理气相传输(PVT)法生长碳化硅(SiC)晶体过程,建立了一个电磁感应、传热传质数值模型来研究SiC晶体生长炉内的磁感应场与热场分布。结果表明:生长炉内磁场分布不均匀;坩埚部分产热率主要集中在坩埚外侧,最大值位于坩埚外侧下部顶角处。其次,坩埚内高温区域分布在粉源位置,低温区域分布在籽晶表面,生长系统轴向温度分布利于碳化硅粉源在高温下的分解升华、气相组分在氩气中的输运及在籽晶处的生长。
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