【摘 要】
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基于混晶模型和极化子微扰理论，研究了弱藕合下三元混品AxB1-xC材料的极化子能级问题，推导了极化子能级表达式，给出了其随组分x变化的函数关系。对AlxGa1-xN和RbxK1-xCl两种典型
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基于混晶模型和极化子微扰理论，研究了弱藕合下三元混品AxB1-xC材料的极化子能级问题，推导了极化子能级表达式，给出了其随组分x变化的函数关系。对AlxGa1-xN和RbxK1-xCl两种典型的三元混晶进行了数值计算，与线性内插法计算结果进行了对比研究。研究结果表明：极化子能量随组分x增大而逐渐增加，呈现出线性变化趋势；两种计算方法在AlxGa1-xN中吻合较好，而在混晶RbxK1-xCl中明显偏大于线性内插法，且随组分x增加偏差逐渐扩大。
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