铜离子注入(Ba1—xSrx)TiO3半导体陶瓷的交流阻抗特性

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本文测量了铜离子注入(Ba1-xSrx)TiO2半导体陶瓷样品在25~180℃,10Hz~13MHz之间的交流阻抗,根据等效电路模型与阻抗谱的变化,分析了注入样品的晶粒电阻,晶界电阻及其对温度的依从性以及样品的PTCR特性,研究表明注入剂量为6×10^15ions/cm^2时,可以提高材料的PTCR效应,此外,辅以XPS和阻温特性测量分析注入铜离子的状态及样品的PTCR特性。
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