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通过在金刚石对顶砧上集成以氧化铝薄膜为绝缘层的微型测量电路，原位测量了ZnS电阻率随压力的变化，证实ZnS的压致相变为半导体到半导体相变，而非金属化相变，并发现ZnS相变的可逆性与相变的迟滞现象．
高压下ZnS的电输运行为
【摘 要】
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通过在金刚石对顶砧上集成以氧化铝薄膜为绝缘层的微型测量电路，原位测量了ZnS电阻率随压力的变化，证实ZnS的压致相变为半导体到半导体相变，而非金属化相变，并发现ZnS相变的可逆
【机 构】
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空军航空大学基础部,吉林大学学报（信息科学版）编辑部,东南大学物理系
【出 处】
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吉林大学学报(理学版)
【发表日期】
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2006年5期
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