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韩国三星尖端电子研究所（SAIT）宣布，开发出了高速非结晶氧化物TFT，该TFT的速度为全球最快。通过将原来的氧化物TFI、的单信道结构改成双信道，电子迁移率达到了原来的3倍，约为130cm^2·Sec，并且还降低了阈值电压。
三星开发出非结晶氧化物TFT速度为全球最快
【摘 要】
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韩国三星尖端电子研究所（SAIT）宣布，开发出了高速非结晶氧化物TFT，该TFT的速度为全球最快。通过将原来的氧化物TFI、的单信道结构改成双信道，电子迁移率达到了原来的3倍，约为130cm^
【出 处】
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中国集成电路
【发表日期】
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2009年1期
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