CVDSnO_2薄膜吸附的XPS研究

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利用XPS方法,分析四种由不同CVD温度(250~550℃)淀积在n-Si衬底上形成异质结的SnO_2透明多晶薄膜的表面.定性和半定量分析表明,表面存在三种氧物种,在加热吸附H_2前后,相对含量发生变化,变化大小与制备温度有关.根据实验结果和分析,研究薄膜H_2吸附机理,讨论SnO_2薄膜的气敏与SnO_2/n-Si异质结光伏的关系以及制备温度对薄膜吸附反应性能的影响. Four kinds of SnO 2 transparent polycrystalline films deposited on n-Si substrate with different CVD temperatures (250-550 ℃) were analyzed by XPS method. Qualitative and semi-quantitative analysis showed that there are three kinds of oxygen species on the surface, before and after heating the H 2 adsorption, the relative content changes, the size of the change and preparation temperature. Based on the experimental results and analysis, the adsorption mechanism of H_2 thin film was studied. The relationship between the gas sensitivities of SnO_2 thin films and SnO_2 / n-Si heterojunction photovoltaic and the effect of preparation temperature on the adsorption properties of the thin films were discussed.
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