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通过把迁移率的实测值与影响ＨｇＣｄＴｅ晶体电子迁移率的主要散射机构进行对比，得出结论：位错是ＨｇＣｄＴｅ晶体低温电子迁移率降低的主要原因。
影响碲镉汞晶体电子迁移率的主要因素
【摘 要】
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通过把迁移率的实测值与影响ＨｇＣｄＴｅ晶体电子迁移率的主要散射机构进行对比，得出结论：位错是ＨｇＣｄＴｅ晶体低温电子迁移率降低的主要原因。
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所
【出 处】
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红外技术
【发表日期】
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1998年1期
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