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期刊论文
再论硅光伏探测器的响应度
再论硅光伏探测器的响应度
来源 :武汉大学学报(理学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:t19508409
【摘 要】
:
实验中发现部分硅光伏探测器在以光生电压为输出信号时,开路电压Voc存在异常现象,在一定强度的光照下Voc出现峰值,随后Voc随入射光强的上升而下降。本文对这种异常现象的规律进
【作 者】
:
袁涛
陈炳若
郑若成
【机 构】
:
武汉大学物理科学与技术学院
【出 处】
:
武汉大学学报(理学版)
【发表日期】
:
2002年1期
【关键词】
:
硅光伏探测器
开路电压
并联电阻
串联电阻
整流接触
响应度
光敏器件
silicon photovoltaic detector
open circuit
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实验中发现部分硅光伏探测器在以光生电压为输出信号时,开路电压Voc存在异常现象,在一定强度的光照下Voc出现峰值,随后Voc随入射光强的上升而下降。本文对这种异常现象的规律进行了研究和分析,认为该现象的产生是由于在金属与半导体之间形成了整流接触,这也是导致器件响应度下降的重要原因。
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