整流接触相关论文
The rare earth element Gd is doped into N Si substrate using thermal diffusion process. The rectifying contact with ......
采用电子束蒸发技术在SiO2,半绝缘Si,n型GaAs衬底上沉积氧化铟锡薄膜,包含5％组分的SnO2和95％的In2O3.测试薄膜基本电学、光学性能,并......
实验发现部分UV-110硅紫外增强型光伏探测器的开路电压在一定光强下出现峰值,随后开路电压随光强增大反而下降的异常光电特性,这种......
将C60薄膜沉积在Al上，制成了Al／C60结构的薄膜二极管。对Al／C60结构的肖特基结构与金属-绝缘层-半导体（MIS）结构的电学特性做了研究。Al......
通过实验发现高阻衬底浅结的紫外敏感硅光伏二极管的正向偏置Ｃ－Ｖ特怀和Ｉ－Ｖ特性与般ＰＮ结二极管的正向特性有明显地不同。文章在理论分析的基......
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实验中发现部分硅光伏探测器在以光生电压为输出信号时，开路电压Voc存在异常现象，在一定强度的光照下Voc出现峰值，随后Voc随入射光强......
本文对是ＰｔＳｉ／Ｓｉ整流特性的接触进行了详细研究，并试制成功ＰｔＳｉ／ｐ－Ｓｉ和ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ两种用途不同的肖特基势垒二极管。......
制备了结构为氧化铟锡(ITO)/有机半导体/金属的有机薄膜光伏器件,电流-电压曲线显示其具有整流特性但有机半导体和电极间肖特基接......
