论文部分内容阅读
本文给出了在自洽场近似下,入射光子能量在x射线范围内(132.3～1500eV),使用相对论及非相对论计算AlI及UI原子壳层光电离截面及总截面。讨论了相对论效应及辐射场的多极展开对光电离截面数值的影响。更多还原
AlⅠ及UⅠ原子光电离截面相对论及非相对论理论计算
【摘 要】
：
本文给出了在自洽场近似下,入射光子能量在x射线范围内(132.3～1500eV),使用相对论及非相对论计算AlI及UI原子壳层光电离截面及总截面。讨论了相对论效应及辐射场的多极展开对
【机 构】
：
湖北师范院物理系,中国科学院长春应用化学研究所,吉林大学原子与分子物理研究所,中国科学院长春应用化学研究所黄石,长春
【出 处】
：
原子与分子物理学报
【发表日期】
：
1993年1期
其他文献
本文应用群论原理及不可约张量性质，详细推导了Ｏｈ型分子三重简并态Ａｍａｔ－Ｎｉｅｌｓｅｎ方案中精确到四级的Ｈａｍｉｌｔｏｎｉａｎ算符，为Ｏｈ型分子精细结构理论和光谱的进一步研究做了数学上的准备。
导电高分子的Peierls不稳定性会在费米面上产生能隙,它将半满能带分裂成价带和导带,并使体系变为半导体.本文给出了在二聚化的基础上利用Wannier函数来计算导电高分子能带的
本文应用加Briet与QED修正的相对论多组态方法对Cu的类F、类Ne和类Na离子的精细结构能级和跃迁参数进行了计算,获得的数据和文献值符合很好。对相对论多组态方法中的相关效应
分别在导通和半绝缘4H-SiC衬底上外延生长了MESFET结构并制成器件.两种衬底上的SiC MESFET具有类似的直流特性,饱和电流为350mA/mm,最大跨导为25～30mS/mm,击穿电压大于120V.导
本文用改进的两电子原子径向关联波函数,应用变分法计算了两电子原子体系H-,He,Li+和Be2+的基态能量,其结果比最好的H—F自洽场方法的计算值和最近Forcada的计算值均好,更接
本文用通道耦合计算方法对H4体系的正方形结构及能量进行计算和研究,得到了以正方形边长R为变量的能量曲线。结果表明,在R=2.16a0处有极小能量-2.0701hartrees。
转变经济发展方式、调整产业结构已经成为经济领域的一个迫切的问题，金融市场本身具有较高的资源配置效率，可加快我国经济结构调整的速度。从经济水平、金融资源和投资额与贷款
利用同步辐射光电子能谱研究了室温下Na吸附下于P型InP(100)表面对其氮化反应的影响。通过P2p、In4d芯能级谱的变化，对Na/InP(100)表面的氮化反应研究表明，碱金属Na的吸附对InP
本文简单介绍冷轧带钢生产用冷轧机简易自动厚调系统的结构、操作、使用效果及其经济效益。