化合物半导体材料的激光消融微区质谱特性的实验研究

来源 :中国激光 | 被引量 : 0次 | 上传用户：giaobiao123

【摘要】

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采用一台Q开关Nd:YAG脉冲激光器的四倍频输出(266 nm)作为消融激光,用反射型飞行时间质谱仪分析探测由激光与靶相互作用产生的离子,从得到的质量谱研究激光与半导体材料的相

【作者】

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彭慰先蒋占魁

【机构】

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吉林大学物理系,长春,130023

【出处】

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中国激光

【发表日期】

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2000年5期

【关键词】

：

半导体激光消融质谱

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采用一台Q开关Nd:YAG脉冲激光器的四倍频输出(266 nm)作为消融激光,用反射型飞行时间质谱仪分析探测由激光与靶相互作用产生的离子,从得到的质量谱研究激光与半导体材料的相互作用.报告了这种相互作用的阈值特性、离子产额、质量分辨率等与激光通量密度的关系,给出了典型AlGaAs和InP材料的激光消融微区质谱.InP的离子质谱表明非金属元素磷的二聚物离子P2的离子峰总是占优势的.

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