【摘 要】
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安森美扩充NNT沟道功率MOSFET器件阵容,新推出带集成肖特基二极管的30V产品。NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10V时分别拥有2mQ、3mn及5mD的最大导通阻抗(RDS(on))
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安森美扩充NNT沟道功率MOSFET器件阵容,新推出带集成肖特基二极管的30V产品。NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10V时分别拥有2mQ、3mn及5mD的最大导通阻抗(RDS(on))值,针对降压转换器应用中的同步端而优化,达致更高电源能效。典型门电荷(在4.5V门极.源极电压(Vgs)时)规
ON Semiconductor Expands Lineup of NNT Channel Power MOSFETs, New 30V with Integrated Schottky Diode. The NTMFS4897NF, NTMFS4898NF and NTMFS4899NF each have 2mΩ, 3mn and 5mD maximum on-resistance (RDS (on)) values at 10V, optimized for synchronous operation in buck converter applications for higher power efficiency. Typical gate charge (at 4.5V gate, source voltage (Vgs)) specifications
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