【摘 要】
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对含F超薄栅氧化层的击穿特性进行了实验研究.实验结果表明,在栅介质中引入适量的F可以明显地提高栅介质的抗击穿能力.分析研究表明,栅氧化层的击穿主要是由于正电荷的积累造
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对含F超薄栅氧化层的击穿特性进行了实验研究.实验结果表明,在栅介质中引入适量的F可以明显地提高栅介质的抗击穿能力.分析研究表明,栅氧化层的击穿主要是由于正电荷的积累造成的,F的引入可以对Si/SiO2界面和SiO2中的O3≡Si*与Si3≡Si*等由工艺引入的氧化物陷阱和界面陷阱进行补偿,从而减少了初始固定正电荷和Si/SiO2界面态,提高了栅氧化层的质量.研究结果表明,器件的击穿电压与氧化层面积有一定的依赖关系,随着栅氧化层面积的减小,器件的击穿电压增大.
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