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通过采用经过优化的新型大光腔结构，脊形波导980nm单模IngaAs/GaAs/AlGaAs多量子阱半导体激光器在保持大功率光输出的同时获得了较小的垂直发散角。结果表明波导中的光功率密度可以降低，获得了大于400mW、斜率效率0.89W/A的输出江功率，垂直方向远场发散角也降低到23°。
小垂直发散角大光腔980nm单模InGaAs／GaAs／AlGaAs量子阱激光器
【摘 要】
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通过采用经过优化的新型大光腔结构，脊形波导980nm单模IngaAs/GaAs/AlGaAs多量子阱半导体激光器在保持大功率光输出的同时获得了较小的垂直发散角。结果表明波导中的光功率密
【机 构】
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中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2002年4期
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划 ( 86 3计划 )资助项目 ( No.86 3-30 7-4 3-3( 0 2 ) )~~
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