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低栅电压范围相关论文

热载流子应力下p—MOSFETs在低栅电压范围的统一退化模型

研究了低栅电压范围的热载流子统一退化模型。发现对于厚氧化层的p-MOSFETs主要退化机制随应力电压变化而变化，随着栅电压降低，退化......

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热载流子效应 P-MOSFET 退化模型电子流量低栅电压范围 hot carrier effectspMOSFETdegradation model ele

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