Mg掺杂量对Zn1-xMgxO缓冲层及其Cu(In,Ga)Se2太阳电池性能的影响

来源 :光子学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wjw842008
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采用低成本溶胶凝胶旋涂法制备了不同Mg含量的Zn1-xMgxO薄膜,用其代替传统化学水浴法制备的CdS作为铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se2,CIGS)薄膜太阳电池的缓冲层材料.用x射线衍射仪、原子力显微镜、紫外可见吸收光谱和X射线光电子能谱仪等研究了Mg掺杂量对Zn1-xMgxO薄膜的结构、形貌、光学性能及Zn1-xMgxO/CIGS异质结之间能带排列的影响.结果表明:所制备的Zn1-xMgxO薄膜均为非晶结构;随着Mg掺入量的增加,Zn1-xMgxO薄膜的表面形貌由条纹状变为六方形纳米颗粒,表面粗糙度
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