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本文采用了LC并联谐振的办法设计了高性能的CMOS收发开关,由于消除了CMOS晶体管的寄生电容的影响,降低了开关电路的插入损耗、提高隔离性能。同时利用直流偏置和交流浮动技术来提高开关的功率容纳能力。采用TSMC0.35 m RF-CMOS工艺设计的收发开关,模拟结果表明谐振频率工作点的插入损耗为1.03dB,收发端隔离39.277dB,输入1dB压缩点（P1dB）功率26.28dBm。