【摘 要】
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本文研究了硅中砷离子注入层经红外辐照退火后的热处理特性,测量了表面薄层电阻随后热处理温度的变化关系.实验结果表明,对于红外辐照~(75)As离子注入样品,表面薄层电阻随后
【机 构】
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西安交通大学电子工程系,西安交通大学电子工程系
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本文研究了硅中砷离子注入层经红外辐照退火后的热处理特性,测量了表面薄层电阻随后热处理温度的变化关系.实验结果表明,对于红外辐照~(75)As离子注入样品,表面薄层电阻随后热处理温度的升高而发生规律性的变化,在900℃附近达到最小值,此时注入杂质的电激活率大于100%.
In this paper, the heat treatment characteristics of arsenic ion implanted layer in silicon after being annealed by infrared radiation were studied and the relationship between the surface sheet resistance and the subsequent heat treatment temperature was measured.The experimental results show that for the infrared implanted (75) As ion implanted sample, the surface The sheet resistance then changes regularly with the increase of the heat treatment temperature and reaches the minimum near 900 ° C. The electrical activation of the implanted impurities is greater than 100%.
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