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,Reduction of Reactive-Ion Etching-Induced Ge Surface Roughness by SF6/CF4 Cyclic Etching for Ge Fin
【机 构】
：
School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093“,”Department of Inf
【出 处】
：
中国物理快报（英文版）
【发表日期】
：
2015年4期
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