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非掺杂半绝缘LECGaAs的光电流谱

来源 :光谱学与光谱分析 | 被引量 : 0次 | 上传用户：pengsuli

【摘 要】

：

研究了非掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡｓ的非本征室温（３００Ｋ）光电流谱，在０．４－０．７０９ｅＶ范围发现了一个光响应响应宽带Ｍ１。Ｍ１带在０．４６、０．４９、０．５６、０．６５和０．６９ｅＶ处出现五个峰，其中０．４６、０．４９、０．５６和０．６９ｅＶ峰的起始阈值分别为０．４４、０．４７、０．５１和０．６７ｅＶ。本文讨论了Ｍ１带的起源，提出了０．４４、０．４７和０．５１ｅＶ光

【作 者】

：

杨瑞霞 胡恺生 

【机 构】

：

河北工业大学电子系,天津电子材料研究所

【出 处】

：

光谱学与光谱分析

【发表日期】

：

1999年1期

【关键词】

：

LECSIGaAs 光电流谱 场效应晶体管 砷化镓 LECGaAs Photocurrent spectrum Deep level Field effect 

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研究了非掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡｓ的非本征室温（３００Ｋ）光电流谱，在０．４－０．７０９ｅＶ范围发现了一个光响应响应宽带Ｍ１。Ｍ１带在０．４６、０．４９、０．５６、０．６５和０．６９ｅＶ处出现五个峰，其中０．４６、０．４９、０．５６和０．６９ｅＶ峰的起始阈值分别为０．４４、０．４７、０．５１和０．６７ｅＶ。本文讨论了Ｍ１带的起源，提出了０．４４、０．４７和０．５１ｅＶ光电阈值与铜受主，ＥＬ３和氧施主

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