【摘 要】
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采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）技术,保持衬底温度在125℃沉积硅薄膜材料及电池,研究了硅烷浓度、辉光功率等沉积参数对材料和电池性能的影响.在125℃的低温条件
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
【基金项目】
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国家重点摹础研究发展（973）规划（2006CB202602,2006CB202603）,天津市科技发展规划项目（06YFGZGX02100）
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采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）技术,保持衬底温度在125℃沉积硅薄膜材料及电池,研究了硅烷浓度、辉光功率等沉积参数对材料和电池性能的影响.在125℃的低温条件下,通过优化沉积工艺,在玻璃衬底和PET塑料衬底上分别制备出效率达到6.8%和3.9%的单结非晶硅电池.在PET衬底上,将低温沉积非晶硅电池的技术应用于的叠层电池的顶电池,制备出效率为4.6%的非晶/微晶硅叠层电池.
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